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亚成微推出全新升级版 20W PD快充全套方案

来源:v8040威尼斯人com-威尼斯人官网娱乐场 发布时间:2021-10-28 阅读次数:

20W PD快速充电器全新升级方案(基于亚成微自研开关电源芯片RM6734S+同步整流芯片RM3434SA+协议芯片RM6602T)

苹果iPhone13的上市使得消费类电源市场又掀起了一波20W PD快充热潮,面对日益增长的市场需求,各大芯片原厂、方案商、快充工厂以及品牌商纷纷推陈出新。作为电源管理芯片领域的开拓者和创新者,v8040威尼斯人com-威尼斯人官网娱乐场自然也不会缺席,在近期推出了全新升级版的20W PD高集成快充方案,方案基于v8040威尼斯人com司RM6734S+RM3434SA+RM6602T的芯片组合,并集成v8040威尼斯人com司自研的超结MOS-RMX65R系列(采用行业先进的多层外延工艺),增加了VCC ovp功能以及分段驱动源极跟随驱动功能,通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合,实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局,具有体积小、性能强、功耗低等特点,可有效帮助快充电源厂商加速小功率快充量产并节省物料成本。

 

1.方案DEMO(尺寸:34mm×30mm×23mm

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芯片介绍:
主控采用亚成微自供电双绕组开关电源芯片RM6734S
次级芯片采用亚成微超快关断同步整流芯片RM3434SA
同步整流管采用亚成微RMX65R系列
协议芯片采用亚成微RM6602T



主要参数:

■ 输入电压范围90Vac~264Vac
■ 输出5V3A、9V2.22A、12V1.67A
■ 效率(Max):89.50%
■ 输出最大纹波106mV
■ 输出电压步进±200mV
■ 符合“DOE&COC”六级能效标准
■ 通过EN55022 ClassB的EMI测试标准

方案特点:
 

■ 省去辅助绕组和VCC供电回路

■ 内置亚成微自研650V高压超结MOSFET-RMX65R系列(采用行业先进的多层外延工艺)

■ 支持高压启动

■ Burst Mode模式去除噪音影响

■ 低启动电流和低工作电流设计 

■ 满足六级能效标准

■ 具备软启动功能

■ 内设抖频模式可降低EMI 干扰

■ 内置前沿消隐,内设自动重启功能

■ CS开路保护,逐周期限流功能

■ 多种保护功能:

      输出二极管短路保护

      内置过温保护

      CS短路保护
 

2.方案原理图

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3.待机功耗


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4.能效测试


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5.温升测试


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6.传导测试
 

220V输入

5V/3A(L)测试结果

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220V输入

5V/3A(N)测试结果

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220V输入

9V/2.22A(L)测试结果 


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220V输入

9V/2.22A(N)测试结果

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220V输入

12V/1.67A(L)测试结果

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220V输入

12V/1.67A(N)测试结果

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